2SD2170 达林顿NPN Vcbo=90V Vces=90v Ic=2A HEF=1000~10000 代码/MARKING DM
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
90v |
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
2A |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
80MHZ |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
1000~10000 |
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
耗散功率Pc Power Dissipation |
2W |
描述与应用 Description & Applications |
中等功率晶体管(电机、继电器驱动)(90v 2A)。
特性
1)内置收集器和基础之间的齐纳二极管。
2)齐纳二极管低色散。
3)严格防止逆功率激增“L”负载。
4)达灵顿连接直流电流增益高。
5)内置基地和发射极之间的电阻。
6)内置阻尼二极管。
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