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2SD999 NPN三极管 30V 1A 130MHz 200~400 210mV/0.21V SOT-89 marking/标记 CK

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)130MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage210mV/0.21V
耗散功率PcPower Dissipation2W
Description & ApplicationsNPN Silicon epitaxial transistor power Mini Mold low collector saturation voltage :Vce<0.4v excellent DC current gain linearity :hFE =140 complement to PNP type 2SB798
描述与应用NPN硅外延晶体管电源小型模具 低集电极饱和电压VCE<0.4V 优良的直流电流增益线性度:HFE= 140 补充PNP型2SB798
规格书PDF
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