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BSP225 P沟道MOS场效应管 -250V -225mA 10ohm SOT-223 marking/标记 BSP225 高速开关 无二次击穿

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-250V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-0.225A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance10Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8--2.8V
耗散功率PdPower Dissipation1.5W
Description & ApplicationsFEATURES • Very low RDS(on) • Direct interface to C-MOS, TTL, • High-speed switching • No secondary breakdown
描述与应用•非常低的RDS(on) •直接连接C-MOS,TTL, •高速开关 •无二次击穿
规格书PDF
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