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BSS139 N沟道MOSFET 350V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ST 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage350V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance7.8Ω/Ohm 100mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsSIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N-channel • Depletion mode • dv /dt rated
描述与应用SIPMOS ®Small-Signal-Transistor •N沟道 •耗尽模式 •dv / dt的额定
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