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BSS284 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 5ohm SOT-23 marking/标记 SD

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-50V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-0.13A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance5Ω @-130mA,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8--1.8V
耗散功率PdPower Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsSIPMOS ® Small-Signal Transistor • P channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th)= -0.8...-1.6 V
描述与应用SIPMOS®小信号晶体管 •P沟道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS(TH)=-0.8...-1.6 V
规格书PDF
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