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EMB4 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -0.1A R1=10KΩ HEF=100~600 SOT-563 标记B4 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 -50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 -100MA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)  10KΩ
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)  
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2)
Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2)
 
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 100~600
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 250MHZ
耗散功率Pc
Power Dissipation
200MW/0.2W
描述与应用
Description & Applications
  通用(双重数字晶体管)
  两个DTA114T芯片EMT城市轨道交通或SMT包。
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