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MTM231230LS0 P沟道MOS场效应管 -20V -3A 0.036ohm SOT-323 marking/标记 BL 低电压驱动 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current-3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.036Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.4--1.3V
耗散功率PdPower Dissipation700mW/0.7W
Description & ApplicationsFeatures Low voltage drive (1.8 V, 2.5 V, 4 V) Realization of low on-resistance, using extremely fine process Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Eco-friendly Halogen-free package
描述与应用低电压驱动(1.8 V,2.5 V,4 V) 实现低导通电阻,用极其精细的过程 集小型化,减少元件数量。 环保无卤素封装
规格书PDF
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