PH5330E N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 5330E 硅栅高速开关/低驱动
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 80A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 62.5W |
| Description & Applications | N-channel TrenchMOS™ logic level FET |
| 描述与应用 | N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET |
| 规格书PDF |
