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PHD66NQ03LT N沟道MOSFET 25V 66A SOT-428/TO-252/D-PAK marking/标记 PHD66NQ03L 雪崩能量/桥电路中使用

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage25V
最大漏极电流Id Drain Current66A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation93W
Description & ApplicationsTrenchMOS™ Logic Level FET N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Low on-state resistance Fast switching.
描述与应用TrenchMOS™逻辑电平FET N沟道逻辑电平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS™技术。 低通态电阻 快速切换
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