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PHT6N06T N沟道MOSFET 55V 5.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 6N06T 低导通电阻/DMOS技术/

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage55V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.15Ω/Ohm @5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation8.3W
Description & Applications
描述与应用
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