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RTL020P02 P沟道MOS场效应管 -20V -2A 250毫欧 SOT-363 marking/标记 WU 低导通电阻 高速开关 低电压驱动

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-12V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance250mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.7~-2V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & Applications2.5V Drive Pch MOS FET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. Applications DC-DC converter
描述与应用2.5V驱动P沟道MOS FET 特点 1)低导通电阻。 2)高功率封装。 3)高速开关。 4)低电压驱动。 应用 DC-DC转换
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