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SI1407DL-T1 P沟道MOS场效应管 -12V 1.8A 0.105ohm SOT-363 marking/标记 OCU/0CV

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-1.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.105Ω @-1.8A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation625mW/0.625W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
规格书PDF
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