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SI1553DL 复合场效应管 20V/-20V 660mA/-410mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 RAY

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V/12V
最大漏极电流IdDrain Current660mA/-410mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance630mΩ@ VGS =2.5V, ID =400mA/1.8Ω@ VGS =-2.5V, ID =-250mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6V/-0.6V
耗散功率PdPower Dissipation270mW/0.27W
Description & ApplicationsComplementary 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用互补2.5-V(G-S)的MOSFET
规格书PDF
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