我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

SI1499DH-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -8V -1.6A 0.0622ohm SOT-363 marking/标记 BI 功率MOSFET 超低导通电阻

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流IdDrain Current-1.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.0622Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.35--0.8V
耗散功率PdPower Dissipation2.78W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFET • Ultra-Low On-Resistance
描述与应用功率MOSFET •超低导通电阻
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00