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SI3457BDV P沟道MOS场效应管 -8V -5A 0.044ohm SOT-163 marking/标记 7B

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.044Ω @-5A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsP-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET
规格书PDF
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