我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

STD2NB60T4 N沟道MOSFET 600V 2.6A TO-252/D-PAK marking/标记 D2NB60 高速开关/低导通电阻

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current2.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.3Ω/Ohm @1.6A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage3-5V
耗散功率Pd Power Dissipation50W
Description & ApplicationsTYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
描述与应用典型的RDS(on)=3.3Ω 非常高的dv/ dt能力 100%雪崩测试 非常低的固有电容 栅极电荷最小化
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00