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TP2105K1 P沟道MOS场效应管 -50V -160mA 6ohm SOT-23 marking/标记 P1LB 无二次击穿 高输入阻抗 高增益

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-50V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-160mA/-0.16A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance6Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsFeatures Free from secondary breakdown Low power drive requirement Ease of paralleling Low CISS and fast switching speeds Excellent thermal stability Integral Source-Drain diode High input impedance and high gain Complementary N- and P-channel devices
描述与应用无二次击穿 低功率驱动器的要求 易于并联 低连续供墨系统和快速开关速度 优良的热稳定性 积分源漏二极管 高输入阻抗,高增益 互补N和P沟道器件
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