UPA1912TE-T1 P沟道MOS场效应管 -12V 4.5A 0.039ohm SOT-163 marking/标记 TD 2.5V驱动 低导通电阻
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -4.5A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.039Ω @-2.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.5--1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES • Can be driven by a 2.5-V power source • Low on-state resistance RDS(on)1 = 115 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A) RDS(on)2 = 120 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –1.5 A) RDS(on)3 = 190 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –1.0A) |
| 描述与应用 | •可以由一个2.5 V的电源 •低通态电阻 的RDS（on）1 =115mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-1.5） 的RDS（on）2 =120mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-1.5 A） 的RDS（on）3 =190mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-1.0A） |
| 规格书PDF |
