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SSM6J207FE P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 491毫欧 SOT-563 marking/标记 KT 高速开关 4V 驱动 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance491mΩ@ VGS = -4V, ID = -400mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.2~-2.6V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications • 4 V drive • Low ON-resistance:Ron = 491 mΩ (max) (@VGS = −4 V) Ron = 251 mΩ (max) (@VGS = −10 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型 ○高速开关应用 •4 V驱动器 •低导通电阻:Ron = 491 mΩ (max) (@VGS = −4 V) Ron = 251 mΩ (max) (@VGS = −10 V)
规格书PDF
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