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SSM6J53FE P沟道MOS场效应管 -20V -1.8A 136毫欧 SOT-563 marking/标记 KG 高速开关 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-1.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance136mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.3~-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications • 1.5 V drive • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low on-resistance : Ron = 136 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) : Ron = 204 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 364 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ○高速开关应用 ○电源管理开关应用 •1.5 V驱动器 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻:RON= 136MΩ(最大)(@ VGS=-2.5 V) RON= 204MΩ(最大)(@ VGS=-1.8 V) RON= 364MΩ(最大)(@ VGS=-1.5 V)
规格书PDF
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