TPCP8G01 PNP三极管+P沟道场效应管 PS-8 代码 8G01 大电流
| 三极管类型 Transistor Type | PNP |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-3.0A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
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| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~500 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.19V |
| 场效应管类型 MOSFET TYPF | P 沟道 |
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
-2.0A |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
ID = −1.0 A, VGS = −4 V RDS=90~130mΩ
ID = −0.5 A, VGS = −2.5 V RDS=124~186mΩ
ID = −0.2 A, VGS = −1.8V RDS=180~320mΩ
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3~1.0V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
0.94W |
| 描述与应用 Description & Applications |
硅PNP晶体管外延式/硅P沟道MOS场效应晶体管类型
切换应用程序
Multi-chip分立器件:PNP型晶体管和P沟道MOS场效应晶体管
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| 规格书PDF |
