PIMD2 NPN+PNP带阻尼三极管 50V 0.1A R1=R2=22KΩ SOT163 代码 M5
Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 0.1A |
Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V |
Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -0.1A |
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 22KΩ |
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 22KΩ |
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 |
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 22KΩ |
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 22KΩ |
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 |
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2 | 60/60 |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2 | |
耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W |
Description & Applications | |
描述与应用 |
*内置的偏置电阻
*简化了电路设计
*减少组件数量
*减少选择和成本。
*用于一般放大及开关电路
*逆变器和接口电路
*电路驱动程序。
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规格书PDF |