DMN5L06DWK-7 双N沟道增强mosfet 50V 308MA SOT-363/SC70-6 标记 DABZ4
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
305MA |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = 5.0V, ID = 50mA 2Ω |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
VDS = VGS, ID = 250uA 1.2v |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
200MW |
| 描述与应用 Description & Applications |
双N沟道MOSFET的低导通电阻极低的栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出泄漏超小型表面贴装封装铅的设计免费/ RoHS规定（注2）ESD保护可达2kV的“绿色”设备（注4）符合AEC-Q101标准的高可靠性 |
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