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2521件相关商品 当前位置:首页 >现货库存> 场效应管
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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
2SK665 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70 marking/标记 30 高速开关/小的驱动电流/高输入阻抗/静电击穿电压高 2SK665
标记:30
封装:SOT-323/SC-70
Panasonic 100 立即订购
2SK664 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70 marking/标记 3N 高速开关 2SK664
标记:3N
封装:SOT-323/SC-70
Panasonic 12000 立即订购
2SK663-Q N沟道结型场效应管 55v 2~6.5mA SOT-323 marking/标记 2BQ 低频放大,开关 2SK663-Q
标记:2BQ
封装:SOT-323/SC70
Panasonic 0 立即订购
2SK662 N沟道结型场效应管 30v 0.5~3mA SOT-323 marking/标记 10P 低频放大 2SK662
标记:10P
封装:SOT-323/SC70
Panasonic 10 立即订购
2SK662 N沟道结型场效应管 30v 2~6mA SOT-323 marking/标记 10Q 低频放大 2SK662
标记:10Q
封装:SOT-323/SC70
Panasonic 1160 立即订购
2SK640 N沟道MOSFET SOT-89 marking/标记 ZD 2SK640
标记:ZD
封装:SOT-89/SC-62
NEC 0 立即订购
2SK621 N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 30 2SK621
标记:30
封装:SOT-23/SC-59
Panasonic 2300 立即订购
2SK620 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 3N 无二次击穿/4栅极驱动电压逻辑电平 2SK620
标记:3N
封装:SOT-23/SC-59
Panasonic 82150 立即订购
2SK612-Z-T1 N沟道MOSFET 30V 1A TO-252/D-PAK marking/标记 K612 无二次击穿/4栅极驱动电压逻辑电平 2SK612-Z-T1
标记:K612
封装:TO-252/D-PAK
NEC 150 立即订购
2SK611-Z-T1 N沟道MOSFET 30V 1A TO-252/D-PAK marking/标记 K611 无二次击穿/4栅极驱动电压逻辑电平 2SK611-Z-T1
标记:K611
封装:TO-252/D-PAK
NEC 0 立即订购
2SK601 N沟道MOSFET 80V 500mA/0.5A SOT-89 marking/标记 0 高速开关/直接驱动CMOS和TTL门/小功率型 2SK601
标记:0
封装:SOT-89/SC-62
Panasonic 0 立即订购
2SK543 N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-23/SC-59 marking/标记 CJ4 低噪音/高功率增益/低导通电阻 2SK543
标记:CJ5
封装:SOT-23/SC-59
SANYO 0 立即订购
总数:2521

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