| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
FK3503010L N沟道MOSFET 100ma 30v VTH=1V SOT-323 MARKING;X1 |
FK3503010L
标记：X1 封装：SOT-323 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
|
|
TPC6010-H N沟道MOSFET 60V 6.1A SOT-163/SOT23-6/VS-6 marking/标记 S2K 高速开关/低导通电阻 |
TPC6010-H
标记：S2K 封装：SOT-163/SM6/SOT23-6 |
TOSHIBA | 57000 | 立即订购 |
|
|
DMN3033LDM-7N 沟道增强型MOSFET 30V 6.9A SOT-163/SM6/SOT-26 标记 NA5 |
DMN3033LDM-7
标记：NA5 封装：SOT-163/SM6/SOT-26 |
DIODES | 45000 | 立即订购 |
|
|
CES2324 n沟道增强型场效应晶体管 20V 4.2A SOT23 代码 248R |
CES2324
标记：248R 封装：SOT-23/SC-59 |
CET | 12000 | 立即订购 |
|
|
FDMS8670S N沟道场效应管 30V 42A Power 56 直流/直流转换器 低侧开关 |
FDMS8670S
标记：FDMS8670S 封装：Power 56 |
FAIRCHILD | 138 | 立即订购 |
|
|
IRLR3103TR N 沟道场效应管 30V 55A TO252 代码 LR3103 逻辑级门开 超低导通电阻 |
IRLR3103TR
标记：LR3103 封装：TO-252 |
IR | 1000 | 立即订购 |
|
|
FDB7045L N沟道场效应管 30V 100A TO263AB 代码 FDB7045L |
FDB7045L
标记：FDB7045L 封装：TO-263AB |
FAIRCHILD | 200 | 立即订购 |
|
|
FDB7030BLS N沟道场效应管 30v 56A TO263AB 代码 FDB7030BL |
FDB7030BLS
标记：FDB7030BL 封装：TO-263AB |
FAIRCHILD | 150 | 立即订购 |
|
|
AP70T03H N沟道MOSFET 30V 60A TO-252/D-PAK marking/标记 70T03H 低导通电阻/用于低配置应用程序 |
AP70T03H
标记：70T03H 封装：TO-252/D-PAK |
Advanced Power | 500 | 立即订购 |
|
|
PH3230S n沟道增强型场效应功率晶体管 30V 100A SOT669 代码 3230s 低闸极电荷 |
PH3230S
标记：3230S 封装：SOT-669 |
NXP/PHILIPS | 130 | 立即订购 |
|
|
TPCP8006 N沟道场效应管 20V 9.1A PS-8 代码 8006 低漏源极导通电阻 低漏电流 |
TPCP8006
标记：8006 封装：PS-8 |
TOSHIBA | 105000 | 立即订购 |
|
|
HB3402W n沟道场效应管 30V 3.5A SOT323 代码 ZG 低导通电阻 超高速切换 2.5 v驱动 |
HB3402W
标记：ZG 封装：SNOT-323F |
爱瑞凯 | 12000 | 立即订购 |
