| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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HB6P0130FE 复合MOS管 双P沟道 30V 100mA SOT-563F 特价 |
HB6P0130FE
标记： 封装：SOT-563F |
爱瑞凯 | 4000 | 立即订购 |
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DMN66D0LDW-7 双N沟道增强型场效应 60V 115MA SOT-363/SC70-6 标记 MN1ZN |
DMN66D0LDW-7
标记：MN1ZN 封装：SOT-363/SC70-6 |
DIODES | 36000 | 立即订购 |
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DMN5L06DWK-7 双N沟道增强mosfet 50V 308MA SOT-363/SC70-6 标记 DABZ4 |
DMN5L06DWK-7
标记：DABZ4 封装：SOT-363/SC70-6 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
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HB6N0130FE 复合MOS管 双N沟道 30V 100mA SOT-563F 特价 |
HB6N0130FE
标记： 封装：SOT-563F |
爱瑞凯 | 4000 | 立即订购 |
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HB6N0530TU 复合场效应管 双N沟道 30V 500mA SOT-363F 华半特价 |
HB6N0530TU
标记： 封装：SOT-363F |
爱瑞凯 | 120000 | 立即订购 |
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SI3443DVTR
标记：3AJG 封装：SOT-163/SOT23-6/VS-6 |
IR | 2200 | 立即订购 | |
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SI5515CDC 复合场效应管 N沟道+P沟道 SOT23-8 代码 EHU |
SI5515CDC
标记：EHU 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
VISHAY | 3000 | 立即订购 |
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TPCP8F01 PNP三极管+N沟道场效应管 PS-8 代码 8F01 |
TPCP8F01
标记：8F01 封装：PS-8 |
TOSHIBA | 39000 | 立即订购 |
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TPCP8G01 PNP三极管+P沟道场效应管 PS-8 代码 8G01 大电流 |
TPCP8G01
标记：8G01 封装：PS-8 |
TOSHIBA | 3000 | 立即订购 |
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结型N沟道复合场效应管 2SK2145-GR 50V 2.6mA~6.5mA SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV 标记XG |
2SK2145-GR
标记：XG 封装：SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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DMN32D2LDF-7 复合场效应管 30V 400mA/0.4A SOT-353/SC70-5 marking/标记 KDV ESD保护 |
DMN32D2LDF-7
标记：KDV 封装：SOT-353/SC70-5 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
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SI1917EDH 双p沟道MOSFET -12V -1.15A SOT363 代码 DBW |
SI1917EDH
标记：DBW 封装：SOT-363 |
VISHAY | 600 | 立即订购 |
