| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
MMBFJ211 N沟道结型场效应管 25v 7~20mA SOT-23 marking/标记 G2W 射频放大器 |
MMBFJ211
标记：G2W 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
|
|
MMBFJ175 P沟道结型场效应管 P沟道开关 |
MMBFJ175
标记：GW 封装：SOT-23/SC59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
|
|
BSS84TC P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 6ohm SOT-23 marking/标记 SP 垂直DMOS FET |
BSS84TC
标记：SP 封装：SOT-23/SC-59 |
ZETEX | 20000 | 立即订购 |
|
|
LSK3019 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SC-75/EMT3 marking/标记 KN DC-DC转换器/低传导损耗/双面冷却双兼容 |
LSK3019
标记：KN 封装：SOT-523/SC-75/EMT3 |
ROHM | 4500 | 立即订购 |
|
|
MMBFJ203 N沟道结型场效应管 40v 4~20mA SOT-23 marking/标记 62R 低级别的 radio |
MMBFJ203
标记：62R 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 6000 | 立即订购 |
|
|
NTR1P02LT1 P沟道MOS场效应管 -20V -1.3A 0.135ohm SOT-23 marking/标记 P02 高效率 延迟电池寿命 |
NTR1P02LT1
标记：P02 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 5000 | 立即订购 |
|
|
BF510 N沟道结型场效应管 20v 0.7~3mA SOT-23 marking/标记 SG 射频 |
BF510
标记：SG 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
IRFR214 N沟道MOSFET 400V 1.7A TO-252/D-PAK marking/标记 FR214 门源齐纳ESD坚固 |
IRFR214
标记：FR214 封装：TO-252/D-PAK |
IR | 10 | 立即订购 |
|
|
MMFT3055ET1 N沟道MOSFET 60V 1.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 3055 高速开关/低导通电阻/低电压驱动 |
MMFT3055ET1
标记：3055 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
ON | 400 | 立即订购 |
|
|
SI1551DL 复合场效应管 20V/-20V 290mA/-410mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 RD |
SI1551DL
标记：RD 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
|
|
G2305 P沟道MOS场效应管 -200V -2.4A 2.06ohm SOT-23 marking/标记 2305 快速开关 |
G2305
标记：2305 封装：SOT-23/SC-59 |
GTM | 490 | 立即订购 |
|
|
BF1208 复合场效应管 6 30mA SOT-563 marking/标记 2L 低噪声放大 VHF和UHF应用 |
BF1208
标记：2L 封装：SOT-563 |
NXP/PHILIPS | 100 | 立即订购 |
