| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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NTD40N03RT4G N沟道场效应管 25V 45A TO252 代码 T40N03G 低栅极电荷 |
NTD40N03RT4G
标记：T40N03G 封装：TO-252 |
ON | 0 | 立即订购 |
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DMN55DOUT-7 n沟道场效应管 50V 160MA SOT523 代码 NAC |
DMN55DOUT-7
标记：NAC 封装：SOT-523 |
DIODES | 6500 | 立即订购 |
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XP152A01D8MR P沟道场效应管 -20V -0.5A SOT23 代码 201 超高速开关 低通态电阻 |
XP152A01D8MR
标记：201 封装：SOT-23/SC-59 |
TOREX | 600 | 立即订购 |
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SSM3K44MFV N沟道场效应管 30V 0.1A VESM 代码 NT 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3K44MFV
标记：NT 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 8000 | 立即订购 |
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HB60P20F P沟道场效应管 -21V -6.1A SOT23 1.5 - v驱动 低导通电阻 |
HB60P20F
标记： 封装：SOT-23 |
HUABAN | 20000 | 立即订购 |
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SI5515CDC 复合场效应管 N沟道+P沟道 SOT23-8 代码 EHU |
SI5515CDC
标记：EHU 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
VISHAY | 3000 | 立即订购 |
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SSM3K7002BFU N沟道场效应管 60V 0.2A SOT323 代码 NM 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3K7002BFU
标记：NM 封装：SOT-323/USM |
TOSHIBA | 282000 | 立即订购 |
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SI3460DV N沟道场效应管 20V 6.8A SOT163 代码 60 |
SI3460DV
标记：60 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 5000 | 立即订购 |
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2SK3669 N沟道场效应管 100V 10A TO252 代码 K3669 增强模式 开关稳压器，音频放大器 |
2SK3669
标记：K3669 封装：TO-252/D-PAK |
TOSHIBA | 12000 | 立即订购 |
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SIA411DJ P沟道场效应管 -20V -12A 代码 BEW 负载开关，PA开关 |
SIA411DJ
标记：BEW 封装：SC70-6L(QFN) |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SY2303BDS-T1-E3
标记：L3 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 16003 | 立即订购 | |
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IPD09N03LAG N沟道场效应管 25V 50A TO252 代码 09N03A |
IPD09N03LAG
标记：09N03A 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 948 | 立即订购 |
