商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SK2040-Z-E1 N沟道MOSFET 600V 2A TO-252/D-PAK marking/标记 K2040 低导通电阻/内置G-S栅的法律保护二极管/高雪崩能力评级 |
2SK2040-Z-E1
标记:K2040 封装:TO-252/D-PAK |
NEC | 1800 | 立即订购 |
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2SK2037 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KJ 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压 |
2SK2037
标记:KJ 封装:SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 9400 | 立即订购 |
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2SK2036 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 KJ 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压 |
2SK2036
标记:KJ 封装:SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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2SK2035 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 KP 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压 |
2SK2035
标记:KP 封装:SOT-523/SSM |
TOSHIBA | 177800 | 立即订购 |
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2SK2034 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KP 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压 |
2SK2034
标记:KP 封装:SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 10600 | 立即订购 |
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2SK2033 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 KP 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压 |
2SK2033
标记:KP 封装:SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 100 | 立即订购 |
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2SK2015 N沟道MOSFET 150V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 K2015 无二次击穿 |
2SK2015
标记:K2015 封装:TO-252/D-PAK |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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2SK2009 N沟道MOSFET 30V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 KM 低导通电阻/高速开关/高输入阻抗 |
2SK2009
标记:KM 封装:SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 100 | 立即订购 |
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2SK198-S N沟道结型场效应管 30v 0.5~12mA SOT-23 marking/标记 10S 低频放大 |
2SK198-S
标记:10S 封装:SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 1800 | 立即订购 |
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2SK198-R N沟道结型场效应管 30v 4~12mA SOT-23 marking/标记 10R 低频放大 |
2SK198-r
标记:10R 封装:SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 5006 | 立即订购 |
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2SK198-Q N沟道结型场效应管 30v 2~6mA SOT-23 marking/标记 10Q 低频放大 |
2SK198-q
标记:10Q 封装:SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 24200 | 立即订购 |
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2SK198-P N沟道结型场效应管 30v 0.5~3mA SOT-23 marking/标记 10P 低频放大 |
2SK198-p
标记:10P 封装:SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 4 | 立即订购 |