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2SD2150 NPN三极管 40V 3A 290MHz 180~390 200mV/0.2V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 CFR 低频晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 290MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 180~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV/0.2V
耗散功率PcPower Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications applications Low Frequency Transistor Features * Low VCE(sat). * VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.1A) * Excellent current gain characteristics. * Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用 应用 低频晶体管 特点 *低VCE(SAT)。 * VCE(饱和)=0.2V (IC / IB=2A/0.1A) *优秀的电流增益特性。 *外延平面型硅NPN晶体管
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