2SD2150 NPN三极管 40V 3A 290MHz 270~560 200mV/0.2V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 CFS 低频晶体管
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A |
截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 290MHz |
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 270~560 |
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W |
Description & Applications | applications Low Frequency Transistor Features * Low VCE(sat). * VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.1A) * Excellent current gain characteristics. * Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
描述与应用 | 应用 低频晶体管 特点 *低VCE(SAT)。 * VCE(饱和)=0.2V (IC / IB=2A/0.1A) *优秀的电流增益特性。 *外延平面型硅NPN晶体管 |
规格书PDF |