2SJ557 P沟道MOS场效应管 -30V 2.5A 0.114ohm SOT-23 marking/标记 XB 高速开关
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | -20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -2.5A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.114Ω @-1A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -1.0--2.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | FEATURES • Can be driven by a 4 V power source • Low on-state resistance RDS(on)1 = 155 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –1.0 A) RDS(on)2 = 255 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.0 A) RDS(on)3 = 290 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –1.0 A) |
| 描述与应用 | •可驱动4 V的电源 •低通态电阻 的RDS（on）1 =155mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-1.0 A） 的RDS（on）=255mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-1.0 A） 的RDS（on）3 =290mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-1.0 A） |
| 规格书PDF |
