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AO6604 复合场效应管 20V/-20V 3.4A/-2.5A SOT-163/SOT23-6/TSOP6 marking/标记 F4GD 高速逆变电源

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current3.4A/-2.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance72mΩ@ VGS = 1.8V,ID =2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.4~1V
耗散功率PdPower Dissipation1.15W
Description & ApplicationsComplementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6604 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6604L is a Green Product ordering option. AO6604 and AO6604L are electrically identical.
描述与应用互补增强模式场效应晶体管 概述 AO6604采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON)和栅极电荷低。互补MOSFET形成一个高速的逆变电源,适合多种应用。标准产品AO6602是无铅(符合ROHS& 索尼259规格)。 AO6604L是一种绿色产品订购选项。 AO6604和AO6604L是电动相同。
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