BSA223SP P沟道MOS场效应管 -20V -1.5A 0.13ohm SOT-523 marking/标记 BP 高逻辑电平 雪崩额定
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -1.5A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.13Ω @-1.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.45--1V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 830mW/0.83W |
| Description & Applications | 20V/-1.5A , RDS(ON)=130mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=170mΩ(typ.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant) |
| 描述与应用 | RDS（ON）=130mΩ（典型值）@ VGS=-4.5V RDS（ON）=170mΩ（典型值）@ VGS=-2.5V 超级高密度电池设计 可靠耐用 对无铅要求的可用（RoHS标准） |
| 规格书PDF |
