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NDT452AP P沟道MOS场效应管 -30V -5A 0.052ohm SOT-223 marking/标记 452A 高密度电池设计 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.052Ω @-5A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1--2.8V
耗散功率PdPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsHigh density cell design for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability in a widely used surface mount package.
描述与应用高密度电池设计极低的RDS(ON) 一种广泛使用的高功率和电流处理能力 表面贴装封装
规格书PDF
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