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SI5473DC-T1 P沟道MOS场效应管 -12V -8.1A 22毫欧 1206-8 marking/标记 B1SAD 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备 负载开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-8.1A/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance22mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -5.9A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.4V~-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsP-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES *TrenchFET Power MOSFETS * Low rDS(on) and Excellent Power Handling In Compact Footprint APPLICATIONS *Battery and Load Switch for Portable Devices
描述与应用P沟道12-V(D-S)的MOSFET 特点 *TrenchFET 功率MOSFET *低导通电阻 应用 *用于便携式设备的电池和负载开关
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