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SI5513DC 复合场效应管 20V/-20V 3.1A/-2.1A 1206-8/vs-8 marking/标记 EB

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V/12V
最大漏极电流IdDrain Current3.1A/-2.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance134mΩ@ VGS =2.5V, ID =2.3A/260mΩ@ VGS =-2.5V, ID =-1.7A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.5V/-0.6~-1.5V
耗散功率PdPower Dissipation1.1W
Description & ApplicationsComplementary 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用互补的 20-V(D-S)的MOSFET
规格书PDF
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