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UPA1911TE P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.080ohm SOT-163 marking/标记 TC 2.5V驱动 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-12V
最大漏极电流IdDrain Current-2.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.080Ω @-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.5--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFEATURES • Can be driven by a 2.5-V power source • Low on-state resistance RDS(on)1 = 115 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A) RDS(on)2 = 120 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –1.5 A) RDS(on)3 = 190 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –1.0A)
描述与应用•可以由一个2.5 V的电源 •低通态电阻 的RDS(on)1 =115mΩ最大。 (VGS= -4.5 V,ID=-1.5) 的RDS(on)2 =120mΩ最大。 (VGS= -4.0 V,ID=-1.5 A) 的RDS(on)3 =190mΩ最大。 (VGS= -2.5 V,ID=-1.0A)
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