SI3456CDV-T1-GE3 N沟道MOSFET 30V 7.7A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 AP 低导通电阻/低电压驱动
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 7.7A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.034Ω/Ohm @6.1A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.2-3V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 3.3W |
| Description & Applications | N沟道30-V（D-S）的MOSFET FEATURES • TrenchFET Power MOSFET |
| 描述与应用 | N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET |
| 规格书PDF |
