CHT84PT P沟道场效应管 -50v -0.13A SOT23 代码 ZT
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
-50V |
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±20V |
最大漏极电流Id Drain Current |
-0.13A |
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
10Ω |
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8V~2.0V |
耗散功率Pd Power dissipation |
0.3W |
描述与应用 Description & Applications |
*高密度细胞设计低RDS(上)。
*适合包装密度高。
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动程序。
*其他切换应用程序。
*崎岖的和可靠的。
*高饱和电流的能力。
*小信号电压控制开关。
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规格书PDF |