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CHT84PT P沟道场效应管 -50v -0.13A SOT23 代码 ZT

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产品描述
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 -50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 ±20V
最大漏极电流Id
Drain Current
 -0.13A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
 10Ω
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 -0.8V~2.0V
耗散功率Pd
Power dissipation
 0.3W
描述与应用
Description & Applications
  *高密度细胞设计低RDS(上)。
  *适合包装密度高。
  *伺服电机控制。
  *功率MOSFET栅极驱动程序。
  *其他切换应用程序。
  *崎岖的和可靠的。
  *高饱和电流的能力。
  *小信号电压控制开关。
规格书PDF
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