| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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PMF400UN N沟道MOSFET 30v 830mA/0.83A SOT-323/SC-70 marking/标记 F3 快速开关/低功率损耗/极低的RDS |
PMF400UN
标记：F3 封装：SOT-323/SC-70 |
NXP/PHILIPS | 100 | 立即订购 |
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PMF280UN N沟道MOSFET 20V 1.02A SOT-323/SC-70 marking/标记 快速开关/低功率损耗/极低的RDS |
PMF280UN
标记：F2 封装：SOT-323/SC-70 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBFJ176 P沟道结型场效应管 30 V －2.0~－35.0mA SOT-23 marking/标记 W6S |
PMBFJ176
标记：W6S 封装：SOT-23/SC59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBFJ113 P沟道结型场效应管 ±40 V 2 mA SOT-23 marking/标记 P13 高速开关/漏极和源极连接的互换性/在零电压/低导通电阻 |
PMBFJ113
标记：P13 封装：SOT-23/SC59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBF4392 N沟道结型场效应管 40v 25~75mA SOT-23 marking/标记 P6K 低功耗斩波器或开关 |
PMBF4392
标记：P6K 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PMBF4391 N沟道结型场效应管 40v 50~150mA SOT-23 marking/标记 6J 低功耗斩波器或开关 |
PMBF4391
标记：6J 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 9000 | 立即订购 |
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PMBF170 N沟道MOSFET 60V 250mA/0.25A SOT-23/SC-59 marking/标记 KX 低导通电阻/DMOS技术/ |
PMBF170
标记：KX 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 8500 | 立即订购 |
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PHT6N06T N沟道MOSFET 55V 5.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 6N06T 低导通电阻/DMOS技术/ |
PHT6N06T
标记：6N06T 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 120 | 立即订购 |
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PHT6N03T N沟道MOSFET 30V 12.8A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 6N03T 低导通电阻/DMOS技术/ |
PHT6N03T
标记：6N03T 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 1250 | 立即订购 |
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PHT4NQ10T N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10T 低导通电阻/DMOS技术/ |
PHT4NQ10T
标记：4NQ10T 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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PHT4NQ10LT N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10L 高密度/DMOS技术 |
PHT4NQ10LT
标记：4NQ10L 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 150 | 立即订购 |
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PHD66NQ03LT N沟道MOSFET 25V 66A SOT-428/TO-252/D-PAK marking/标记 PHD66NQ03L 雪崩能量/桥电路中使用 |
PHD66NQ03LT
标记：PHD66NQ03L 封装：SOT-428/TO-252/D-PAK |
NXP/PHILIPS | 3200 | 立即订购 |
