| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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IRFL9110TR P沟道MOS场效应管 -100V -1.1A 1.2ohm SOT-223 marking/标记 FL9110 快速开关 |
IRFL9110TR
标记：FL9110 封装：SOT-223 |
IR | 0 | 立即订购 |
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IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力 |
IRFL4310TR
标记：FL4310 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
IR | 50 | 立即订购 |
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IRFL214TR N沟道MOSFET 250V 790mA/0.79A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL214 电机驱动器 |
IRFL214TR
标记：FL214 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
IR | 10000 | 立即订购 |
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IRFL014NTR N沟道MOSFET 2.7A MT marking/标记 FL014N 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力 |
IRFL014NTR
标记：FL014N 封装：MT |
IR | 1300 | 立即订购 |
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IRF6678TR1 N沟道MOSFET 2.7A MT marking/标记 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力 |
IRF6678TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6637 N沟道MOSFET 30V 1.4A MP marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6637
标记： 封装：MP |
IR | 2900 | 立即订购 |
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IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6620TR1
标记： 封装：MT |
IR | 2900 | 立即订购 |
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IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6619TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6618TR1 N沟道MOSFET 30V 170A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6618TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
IRF6617TR1
标记： 封装：MT |
IR | 4400 | 立即订购 |
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IRF6607TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关 |
IRF6607TR1
标记： 封装：MT |
IR | 1000 | 立即订购 |
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IRF6150 复合场效应管 -20V -7.9A BGA 低热阻 电池和负载管理应用 |
IRF6150
标记： 封装：BGA |
IR | 4000 | 立即订购 |
