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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力 IRFL4310TR
标记:FL4310
封装:SOT-223/SC-73/TO261-4
IR 50 立即订购
IRFL214TR N沟道MOSFET 250V 790mA/0.79A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL214 电机驱动器 IRFL214TR
标记:FL214
封装:SOT-223/SC-73/TO261-4
IR 10000 立即订购
IRFL014NTR N沟道MOSFET 2.7A MT marking/标记 FL014N 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力 IRFL014NTR
标记:FL014N
封装:MT
IR 1300 立即订购
IRF6678TR1 N沟道MOSFET 2.7A MT marking/标记 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力 IRF6678TR1
标记:
封装:MT
IR 1000 立即订购
IRF6637 N沟道MOSFET 30V 1.4A MP marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS IRF6637
标记:
封装:MP
IR 2900 立即订购
IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS IRF6620TR1
标记:
封装:MT
IR 2900 立即订购
IRF6619TR1 N沟道MOSFET 20V 30A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS IRF6619TR1
标记:
封装:MT
IR 1000 立即订购
IRF6618TR1 N沟道MOSFET 30V 170A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS IRF6618TR1
标记:
封装:MT
IR 1000 立即订购
IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS IRF6617TR1
标记:
封装:MT
IR 4400 立即订购
IRF6607TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关 IRF6607TR1
标记:
封装:MT
IR 1000 立即订购
IRF6150 复合场效应管 -20V -7.9A BGA 低热阻 电池和负载管理应用 IRF6150
标记:
封装:BGA
IR 4000 立即订购
IRF5850TR 复合场效应管 -20V -2.2A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 AA 超低导通电阻 IRF5850TR
标记:AA
封装:SOT-163/SOT23-6
IR 67450 立即订购
总数:2520

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