| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5850TR 复合场效应管 -20V -2.2A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 AA 超低导通电阻 |
IRF5850TR
标记：AA 封装：SOT-163/SOT23-6 |
IR | 67450 | 立即订购 |
|
|
IRF5810TR 复合场效应管 -20V -2.9A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 K6 超低导通电阻 |
IRF5810TR
标记：k6 封装：SOT-163/SOT23-6 |
IR | 0 | 立即订购 |
|
|
IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷 |
IRF5803TR
标记：G6 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
IR | 0 | 立即订购 |
|
|
IRF5800TR P沟道MOS场效应管 -30V -4A 150毫欧 SOT-163 marking/标记 B3X/BC 低导通电阻 |
IRF5800TR
标记：B3X/BC 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
IR | 470 | 立即订购 |
|
|
IPD20N03LG N沟道MOSFET 30v 30A TO-252/D-PAK marking/标记 20N03L 低栅极电荷/高速开关 |
IPD20N03LG
标记：20N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 830 | 立即订购 |
|
|
IPD14N03L N沟道MOSFET 30V 30A TO-252/D-PAK marking/标记 14N03L 低导通电阻/最大DC电流能力/IPD03N03LAP |
IPD14N03L
标记：14N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 45200 | 立即订购 |
|
|
IPD06N03L N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 06N03L 高功率/高电流处理能力/极低的RDS |
IPD06N03L
标记：06N03L 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 2000 | 立即订购 |
|
|
IPD03N03LAP N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 09N03LA 低导通电阻/最大DC电流能力/IPD03N03LAP |
IPD03N03LAP
标记：09N03LA 封装：TO-252/D-PAK |
INFINEON | 500 | 立即订购 |
|
|
HUF76129S3ST N沟道MOSFET 30V 5.6A TO-263 marking/标记 76129S 极低的RDS/低栅极电荷 |
HUF76129S3ST
标记：76129S 封装：TO-263 |
INTERSIL | 30 | 立即订购 |
|
|
HUF75307T3ST136 N沟道MOSFET 55V 1.599A TO-252/D-PAK marking/标记 75307 |
HUF75307T3ST136
标记：75307 封装：TO-252/D-PAK |
INTERSIL | 14000 | 立即订购 |
|
|
HUF75307D3ST N沟道MOSFET 55V 1.599A TO-252/D-PAK marking/标记 75307D |
HUF75307D3ST
标记：75307D 封装：TO-252/D-PAK |
INTERSIL | 400 | 立即订购 |
|
|
HN7G03FU-B FET+BJT复合场效应管 20V -15V marking/标记 8B SOT-363 电源管理 驱动、接口电路 |
HN7G03FU-B
标记：8B 封装：SOT-363/US6/SC-88 |
TOSHIBA | 600 | 立即订购 |
