| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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ECH8603-TL-E 复合场效应管 -20V -4A ECH8 marking/标记 JC 超高速开关 2.5V驱动 |
ECH8603-TL-E
标记：JC 封装：ECH8 |
SANYO | 20000 | 立即订购 |
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ECH8601 复合场效应管 20V 7A ECH8 marking/标记 KC 通用开关 2.5V驱动 |
ECH8601
标记：KC 封装：ECH8 |
SANYO | 2000 | 立即订购 |
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ECH8401 复合场效应管 20V 10A ECH8 marking/标记 KA 超高速开关 2.5V驱动 |
ECH8401
标记：KA 封装：ECH8 |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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ECH8302-TL-E P沟道MOS场效应管 -30V -7A 48毫欧 Vth:-1~-2.4V ECH8 marking/标记 JB 低导通电阻 通用开关 4V驱动 |
ECH8302-TL-E
标记：JB 封装：ECH8 |
SANYO | 2280 | 立即订购 |
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ECH8301 P沟道MOS场效应管 -20V -8A 37毫欧 Vth:-0.4~-1.3V ECH8 marking/标记 JA 低导通电阻 超高速开关 |
ECH8301
标记：JA 封装：ECH8 |
SANYO | 4066 | 立即订购 |
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EC4304C P沟道MOS场效应管 -30V -250mA 1.5ohm Vth:-0.4--1.4V ECSP1008-4 marking/标记 V 高速开关 2.5V驱动 ESD保护 |
EC4304C
标记：V 封装：ECSP1008-4 |
SANYO | 6000 | 立即订购 |
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EC3A01B-V4A-TL N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.24mA ECSP1006-3 marking/标记 V 音响设备和电话 |
EC3A01B-V4A-TL
标记：V 封装：ECSP1006-3 |
SANYO | 39450 | 立即订购 |
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DMN601K-7 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K7K 高密度电池设计低RDS/高饱和电流能力 |
DMN601K-7
标记：K7K 封装：SOT-23/SC-59 |
DIODES | 9510 | 立即订购 |
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NTMD2P01R2 P沟道MOS场效应管 -16V -2.3A 150毫欧 Vth:-0.5~-1.5V 8脚 marking/标记 D2P01 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备应用 |
NTMD2P01R2
标记：D2P01 封装：SOIC8 |
ON | 8 | 立即订购 |
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CPH6429-TL-E N沟道MOSFET 50V 2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZF 高密度电池设计极低的RDS（ON） |
CPH6429-TL-E
标记：ZF 封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
SANYO | 4100 | 立即订购 |
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CPH6428 复合场效应管 100V 2.5A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZE 超高速开关 4V驱动 |
CPH6428
标记：ZE 封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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CPH6415 复合场效应管 20V 4A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 KR 超高速开关 1.8V驱动 |
CPH6415
标记：KR 封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
SANYO | 800 | 立即订购 |
