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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
ECH8601 复合场效应管 20V 7A ECH8 marking/标记 KC 通用开关 2.5V驱动 ECH8601
标记:KC
封装:ECH8
SANYO 2000 立即订购
ECH8401 复合场效应管 20V 10A ECH8 marking/标记 KA 超高速开关 2.5V驱动 ECH8401
标记:KA
封装:ECH8
SANYO 0 立即订购
ECH8302-TL-E P沟道MOS场效应管 -30V -7A 48毫欧 Vth:-1~-2.4V ECH8 marking/标记 JB 低导通电阻 通用开关 4V驱动 ECH8302-TL-E
标记:JB
封装:ECH8
SANYO 2280 立即订购
ECH8301 P沟道MOS场效应管 -20V -8A 37毫欧 Vth:-0.4~-1.3V ECH8 marking/标记 JA 低导通电阻 超高速开关 ECH8301
标记:JA
封装:ECH8
SANYO 4066 立即订购
EC4304C P沟道MOS场效应管 -30V -250mA 1.5ohm Vth:-0.4--1.4V ECSP1008-4 marking/标记 V 高速开关 2.5V驱动 ESD保护 EC4304C
标记:V
封装:ECSP1008-4
SANYO 6000 立即订购
EC3A01B-V4A-TL N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.24mA ECSP1006-3 marking/标记 V 音响设备和电话 EC3A01B-V4A-TL
标记:V
封装:ECSP1006-3
SANYO 39450 立即订购
DMN601K-7 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K7K 高密度电池设计低RDS/高饱和电流能力 DMN601K-7
标记:K7K
封装:SOT-23/SC-59
DIODES 9510 立即订购
NTMD2P01R2 P沟道MOS场效应管 -16V -2.3A 150毫欧 Vth:-0.5~-1.5V 8脚 marking/标记 D2P01 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备应用 NTMD2P01R2
标记:D2P01
封装:SOIC8
ON 8 立即订购
CPH6429-TL-E N沟道MOSFET 50V 2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZF 高密度电池设计极低的RDS(ON) CPH6429-TL-E
标记:ZF
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 4100 立即订购
CPH6428 复合场效应管 100V 2.5A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZE 超高速开关 4V驱动 CPH6428
标记:ZE
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 0 立即订购
CPH6415 复合场效应管 20V 4A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 KR 超高速开关 1.8V驱动 CPH6415
标记:KR
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 800 立即订购
CPH6414 复合场效应管 30V 5A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 KQ 超高速开关 4V驱动 CPH6414
标记:KQ
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 1400 立即订购
总数:2520

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