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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
2SK2112 N沟道MOSFET 10V 1A SOT-89 marking/标记 NV 低导通电阻/高开关速度/低寄生电容 2SK2112
标记:NV
封装:SOT-89/SC-62
NEC 50 立即订购
2SK2111 N沟道MOSFET 60V 1A SOT-89 marking/标记 NU 低导通电阻/高开关速度/低寄生电容 2SK2111
标记:NU
封装:SOT-89/SC-62
NEC 700 立即订购
2SK2110 N沟道MOSFET 100V 500mA/0.5A SOT-89 marking/标记 NT 低导通电阻/高开关速度/低寄生电容 2SK2110
标记:NT
封装:SOT-89/SC-62
NEC 1600 立即订购
2SK210-Y N沟道结型场效应管 18v 3~7mA SOT-23 marking/标记 YY FM调谐VHF频带放大 2SK210-Y
标记:YY
封装:SOT-23/SC-59
TOSHIBA 0 立即订购
2SK2109 N沟道MOSFET 60V 500mA/0.5A SOT-89 marking/标记 NS 低导通电阻/高开关速度/低寄生电容 2SK2109
标记:NS
封装:SOT-89/SC-62
NEC 39400 立即订购
2SK2103 N沟道MOSFET 30V 2A SOT-89 marking/标记 KA 低导通电阻/高速开关/宽SOA/低电压驱动 2SK2103
标记:KA
封装:SOT-89/SC-62/MPT3
ROHM 1199 立即订购
2SK209-Y N沟道结型场效应管 50v 1.2~3mA SOT-23 marking/标记 XY radio 频率低噪声放大 2SK209-Y
标记:XY
封装:SOT-23/SC-59
TOSHIBA 0 立即订购
2SK209-GR N沟道结型场效应管 50v 2.6~6.5mA SOT-23 marking/标记 XG radio 频率低噪声放大 2SK209-GR
标记:XG
封装:SOT-23/SC-59
TOSHIBA 10 立即订购
2SK209-BL N沟道结型场效应管 50v 6~14mA SOT-23 marking/标记 XL radio 频率低噪声放大 2SK209-BL
标记:XL
封装:SOT-23/SC-59
TOSHIBA 0 立即订购
2SK2099 N沟道MOSFET 250V 6A TO-252/D-PAK marking/标记 高速开关/低导通电阻/无二次击穿/低驱动功率/高电压 2SK2099
标记:
封装:TO-252/D-PAK
FUJI 0 立即订购
2SK2091 N沟道结型场效应管 30v 0.4~0.8mA SOT-323 marking/标记 H14 阻抗转换 2SK2091
标记:H14
封装:SOT-323/SC70
SANYO 1400 立即订购
2SK2090 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70 marking/标记 G22 FET高速开关/高输入阻抗 2SK2090
标记:G22
封装:SOT-323/SC-70
NEC 41000 立即订购
总数:2520

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