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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
2SK1960 N沟道MOSFET 16V 3A SOT-89 marking/标记 NR/低导通电阻 2SK1960
标记:NR
封装:SOT-89/SC-62
NEC 0 立即订购
2SK1959 N沟道MOSFET 16V 2A SOT-89 marking/标记 NQ FET高速开关/低导通电阻 2SK1959
标记:NQ
封装:SOT-89/SC-62
NEC 500 立即订购
2SK1958 N沟道MOSFET 16V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70 marking/标记 G21 FET高速开关/高输入阻抗 2SK1958
标记:G21
封装:SOT-323/SC-70
NEC 3450 立即订购
2SK1954 N沟道MOSFET 180V 4A TO-252/D-PAK marking/标记 K1954 低导通电阻 2SK1954
标记:K1954
封装:TO-252/D-PAK
NEC 300 立即订购
2sk1950 N沟道MOSFET 60V 3A TO-252/TP-FA marking/标记 k1950 高速开关/低驱动电流 2sk1950
标记:k1950
封装:TO-252/TP-FA
SANYO 0 立即订购
2SK1949STL N沟道MOSFET 60V 5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1949 高速开关/低驱动电流 2SK1949STL
标记:K1949
封装:TO-252/D-PAK
HITACHI 8220 立即订购
2SK1945 N沟道MOSFET 900V 5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1945 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流 2SK1945
标记:K1945
封装:TO-252/D-PAK
FUJI 0 立即订购
2SK1918STR N沟道MOSFET 60V 25A TO-263 marking/标记 K1918 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流 2SK1918STR
标记:K1918
封装:TO-263
HITACHI 1000 立即订购
2SK1875-V N沟道MOSFET 32mA SOT-323/SC-70/USM marking/标记 RBV 低噪声增益控制放大器电压NV/低频率的阻抗变换/低导通电阻/高速开关/低驱动电流 2SK1875-V
标记:RBV
封装:SOT-323/SC-70/USM
TOSHIBA 0 立即订购
2SK18600U2MC N沟道结型场效应管 20v 0.095~0.48mA SOT-23 marking/标记 1H U 低频阻抗转换 2SK18600U2MC
标记:1H U
封装:SOT-23/SC-59
Panasonic 10000 立即订购
2SK18600S2MC N沟道结型场效应管 20v 0.095~0.48mA SOT-23 marking/标记 1H S 低频阻抗转换 2SK18600S2MC
标记:1H S
封装:SOT-23/SC-59
Panasonic 110000 立即订购
2SK18600R2MC N沟道结型场效应管 20v 0.095~0.48mA SOT-23 marking/标记 1H R 低频阻抗转换 2SK18600R2MC
标记:1H R
封装:SOT-23/SC-59
Panasonic 20000 立即订购
总数:2520

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