| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SK1961 N沟道结型场效应管 15v 40~75mA SOT-252 marking/标记 K1961 高频低噪声放大器 |
2SK1961
标记：K1961 封装：T0-252 |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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2SK1960 N沟道MOSFET 16V 3A SOT-89 marking/标记 NR/低导通电阻 |
2SK1960
标记：NR 封装：SOT-89/SC-62 |
NEC | 0 | 立即订购 |
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2SK1959 N沟道MOSFET 16V 2A SOT-89 marking/标记 NQ FET高速开关/低导通电阻 |
2SK1959
标记：NQ 封装：SOT-89/SC-62 |
NEC | 500 | 立即订购 |
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2SK1958 N沟道MOSFET 16V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70 marking/标记 G21 FET高速开关/高输入阻抗 |
2SK1958
标记：G21 封装：SOT-323/SC-70 |
NEC | 3450 | 立即订购 |
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2SK1954 N沟道MOSFET 180V 4A TO-252/D-PAK marking/标记 K1954 低导通电阻 |
2SK1954
标记：K1954 封装：TO-252/D-PAK |
NEC | 300 | 立即订购 |
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2sk1950 N沟道MOSFET 60V 3A TO-252/TP-FA marking/标记 k1950 高速开关/低驱动电流 |
2sk1950
标记：k1950 封装：TO-252/TP-FA |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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2SK1949STL N沟道MOSFET 60V 5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1949 高速开关/低驱动电流 |
2SK1949STL
标记：K1949 封装：TO-252/D-PAK |
HITACHI | 8220 | 立即订购 |
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2SK1945 N沟道MOSFET 900V 5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1945 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流 |
2SK1945
标记：K1945 封装：TO-252/D-PAK |
FUJI | 0 | 立即订购 |
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2SK1918STR N沟道MOSFET 60V 25A TO-263 marking/标记 K1918 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流 |
2SK1918STR
标记：K1918 封装：TO-263 |
HITACHI | 1000 | 立即订购 |
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2SK1875-V N沟道MOSFET 32mA SOT-323/SC-70/USM marking/标记 RBV 低噪声增益控制放大器电压NV/低频率的阻抗变换/低导通电阻/高速开关/低驱动电流 |
2SK1875-V
标记：RBV 封装：SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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2SK18600U2MC N沟道结型场效应管 20v 0.095~0.48mA SOT-23 marking/标记 1H U 低频阻抗转换 |
2SK18600U2MC
标记：1H U 封装：SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 10000 | 立即订购 |
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2SK18600S2MC N沟道结型场效应管 20v 0.095~0.48mA SOT-23 marking/标记 1H S 低频阻抗转换 |
2SK18600S2MC
标记：1H S 封装：SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 110000 | 立即订购 |
