| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BSS87 N沟道MOSFET 240V 1.04A SOT-89 marking/标记 KA 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 |
BSS87
标记：KA 封装：SOT-89/SC-62 |
INFINEON | 1206 | 立即订购 |
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BF990A N沟道MOSFET 18V 30mA SOT-143 marking/标记 M87 高速开关/低导通电阻 |
BF990A
标记：M87 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 4080 | 立即订购 |
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SSM3K16CT N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A CST3 marking/标记 SC |
SSM3K16CT
标记：SC 封装：CST3 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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HAT2240C N 沟道场效应管 60V 2.5A SOT363 代码 UK 低导通电阻 低驱动电流 |
HAT2240C
标记：UK 封装：SOT-363 |
RENESAS | 0 | 立即订购 |
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RJJ0102DQM-ELEHS P沟道MOS场效应管 -30V -2A 0.9ohm SOT-363 marking/标记 TG 低导通电阻 小型封装 4v驱动 |
RJJ0102DQM-ELEHS
标记：TG 封装：SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6) |
RENESAS | 2600 | 立即订购 |
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FDN5618P P沟道MOS场效应管 -60V -1.25mA 0.148ohm SOT-23 marking/标记 618 |
FDN5618P
标记：618 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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NTA4153NT1G N沟道MOSFET 20V 915mA/0.915A SOT-523/SC-75 marking/标记 TR 小功率损耗/低的RDS |
NTA4153NT1G
标记：TR 封装：SOT-523/SC-75 |
ON | 834 | 立即订购 |
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ECH8304 P沟道MOS场效应管 -12V -9.5A 39毫欧 Vth:-0.3~-1V ECH8 marking/标记 JF 低导通电阻 通用开关 2.5V驱动 |
ECH8304
标记：JF 封装：ECH8 |
SANYO | 3000 | 立即订购 |
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2SJ326-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 2A 0.28ohm SOT-252 marking/标记 J326 高速开关 工业用途 |
2SJ326-Z-E1
标记：J326 封装：TO-252/DPAK |
NEC | 0 | 立即订购 |
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STK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 K702 高速开关/低导通电阻 |
STK7002
标记：K702 封装：SOT-23/SC-59 |
AUK | 2940 | 立即订购 |
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TPCF8402 复合场效应管 30V/-30V 4A/-3.2A 1206-8/vs-8 marking/标记 F6B 电机驱动 DC/DC转换 |
TPCF8402
标记：f6b 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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2SK3720-5-TB-E N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-23/SC-59 marking/标记 KA5 低噪音/高功率增益/小反向传输电容 |
2SK3720-5-TB-E
标记：ka5 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 0 | 立即订购 |
