| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SGM2006M-T7 MESFET-N沟道 SOT-143 marking/标记 F- 高频应用 |
SGM2006M-T7
标记：F- 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 5650 | 立即订购 |
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CF930AR MESFET-N沟道 10V 10mA-80mA -3V SOT-143 marking/标记 C5F 高频应用/低输入电容 |
CF930AR
标记：C5F 封装：SOT-143 |
TELEFUNKEN | 3500 | 立即订购 |
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SGF9C-TL-E MESFET-N沟道 6V 30mA-70mA -0.5V -- -5.0V SOT86 marking/标记 M 高频应用 |
SGF9C-TL-E
标记：M 封装：SOT86 |
SANYO | 650 | 立即订购 |
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SGF9C-TL-E MESFET-N沟道 6V 30mA-70mA -0.5V -- -5.0V SOT86 marking/标记 高频应用 |
SGF9C-TL-E
标记： 封装：SOT86 |
SANYO | 160000 | 立即订购 |
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NE651R479A-T1 MESFET-N沟道 15V 0.35A 79A marking/标记 TH12 高频应用/高效率 |
NE651R479A-T1
标记：TH12 封装：79A |
NEC | 932 | 立即订购 |
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3SK241-Q MESFET-N沟道 13V 8.5mA-35mA -3.5V SOT-143 marking/标记 DUQ 高频应用/低噪声 |
3SK241-Q
标记：DUQ 封装：SOT-143 |
Panasonic | 18 | 立即订购 |
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GN01010NR2TD MESFET-N沟道 6V 25mA-45mA SOT-143 marking/标记 5AR 高频应用/低噪音 |
GN01010NR2TD
标记：5AR 封装：SOT-143 |
Panasonic | 6000 | 立即订购 |
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MGF4954A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B2 高频应用/低噪声 |
MGF4954A
标记：B2 封装：2520 |
MITSUBISHI | 2886 | 立即订购 |
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MGF4953A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B3 高频应用/低噪声 |
MGF4953A
标记：B3 封装：2520 |
MITSUBISHI | 0 | 立即订购 |
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2SK1646 MESFET-N沟道 6V 30mA-50mA -0.5V -- -5V SOT-143 marking/标记 1W4 高频应用/C X-波段本地振荡器和放大器 |
2SK1646
标记：IW4 封装：SOT-143/CP4 |
SANYO | 23800 | 立即订购 |
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SGM2016M7G MESFET-N沟道 12V 10mA-35mA -2.5V SOT-143 marking/标记 M 高频应用/低噪音/低交叉调制 |
SGM2016M7G
标记：M 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 0 | 立即订购 |
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SGM2016AN-T7 MESFET-N沟道 12V 10mA-35mA -2.5V SOT-343 marking/标记 MA 高频应用/低噪音/低交叉调制 |
SGM2016AN-T7
标记：MA 封装：SOT-343/M-281 |
SONY | 24000 | 立即订购 |
