| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSP135 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP135 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大 |
BSP135
标记：BSP135 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
|
|
BSP126 N沟道MOSFET 250V 375mA/0.375A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP126 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大 |
BSP126
标记：BSP126 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 1140 | 立即订购 |
|
|
BSP125 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP125 甚高频应用 |
BSP125
标记：BSP125 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
|
|
BSP122 N沟道MOSFET 200V 550mA/0.55A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP122 甚高频应用 |
BSP122
标记：BSP122 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 1950 | 立即订购 |
|
|
BSP100 N沟道MOSFET 30V 6A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 甚高频应用 |
BSP100
标记： 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
BSN20W N沟道MOSFET 50V 173mA/0.173A SOT-23/SC-59 marking/标记 8H0 甚高频应用 |
BSN20W
标记：8H0 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
BSN20 N沟道MOSFET 50V 173mA/0.173A SOT-23/SC-59 marking/标记 M8 甚高频应用 |
BSN20
标记：M8 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 2700 | 立即订购 |
|
|
BSL211SP P沟道场效应管 -20V -4.7A SOT163 MARKING PB 增强模式 OptiMOS-P小信号晶体管 |
BSL211SP
标记：PB 封装：SOT-163 |
INFINEON | 5500 | 立即订购 |
|
|
BSH207 P沟道MOS场效应管 -12V -152mA 0.08ohm SOT-163 marking/标记 A1 低开启电压 快速开关 |
BSH207
标记：A1 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NXP/PHILIPS | 18200 | 立即订购 |
|
|
BSH205 P沟道MOS场效应管 -12V -750mA 0.18ohm SOT-23 marking/标记 JO 低开启电压 快速开关 |
BSH205
标记：JO 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 3000 | 立即订购 |
|
|
BSH203 P沟道MOS场效应管 -30V -470mA 0.66ohm SOT-23 marking/标记 PJ8 低开启电压 快速开关 |
BSH203
标记：WJ8 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 6000 | 立即订购 |
|
|
BSH202 P沟道MOS场效应管 -30V -520mA 0.63ohm SOT-23 marking/标记 PJ7 低开启电压 快速开关 |
BSH202
标记：PJ7/wj7 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 90 | 立即订购 |
