| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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3SK253 N沟道MOSFET 18V 25mA SOT-143 marking/标记 U1G 低噪声增益控制放大器 |
3SK253
标记：U1G 封装：SOT-143 |
NEC | 2800 | 立即订购 |
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3SK252 N沟道MOSFET 18V 25mA SOT-143 marking/标记 U1E RF放大器/CATV调谐器 |
3SK252
标记：U1E 封装：SOT-143 |
NEC | 0 | 立即订购 |
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3SK249 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-343/SMQ/SC-61 marking/标记 UO 低噪音 |
3SK249
标记：UO 封装：SOT-343/SMQ/SC-61 |
TOSHIBA | 9100 | 立即订购 |
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3SK242 N沟道MOSFET 20V 25mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 V12 RF放大器 |
3SK242
标记：V12 封装：SOT-343/SC70-4 |
NEC | 200 | 立即订购 |
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3SK241-R MESFET-N沟道 13V 8.5mA-35mA -3.5V SOT-143 marking/标记 DUR 高频应用/低噪声 |
3SK241-R
标记：DUR 封装：SOT-143 |
Panasonic | 100 | 立即订购 |
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3SK241 MESFET-N沟道 13V 8.5mA-35mA -3.5V SOT-143 marking/标记 DU 高频应用/低噪声 |
3SK241
标记：DU 封装：SOT-143 |
Panasonic | 200 | 立即订购 |
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3SK240 MESFET-N沟道 -9V 6mA-20mA -0.7V -- -1.8V SOT-143 marking/标记 UN 高频应用 |
3SK240
标记：UN 封装：SOT-143 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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3SK239AXR N沟道MOSFET 12V 50mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 XR 低电压操作/低噪声增益控制放大器 |
3SK239AXR
标记：XR 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 0 | 立即订购 |
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3SK235 N沟道MOSFET 12V 35mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 XY 低电压操作/高增益/低噪声增益控制放大器 |
3SK235
标记：XY 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 600 | 立即订购 |
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3SK233 N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 XW 低电压操作/高级交叉调制特性 |
3SK233
标记：XW 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 3300 | 立即订购 |
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3SK232 N沟道MOSFET 12.5 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UO 低噪声增益控制放大器/增强典型 |
3SK232
标记：UO 封装：SOT-143/SOT-24/SC-61 |
TOSHIBA | 7800 | 立即订购 |
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3SK230 N沟道MOSFET 18V 25mA SOT-143 marking/标记 U1B 低噪声增益控制放大器/增强典型 |
3SK230
标记：U1B 封装：SOT-143 |
NEC | 68095 | 立即订购 |
